[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010196391.4 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111734874A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 蒲原史朗;上嶋和也 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | F16K31/06 | 分类号： | F16K31/06;F16K37/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件。半导体器件控制第一电路，该第一电路用于向由线圈和可动铁芯构成的闭锁螺线管和永磁体提供/停止由直流电源提供的电流，该电流基于来自电流检测电路的输入来测量。该半导体器件包括控制电路，该控制电路具有低功耗模式和正常操作模式，在该低功耗模式中泄漏电流减小。当没有电流流过线圈时，控制电路保持低功耗模式，而当电流流过线圈时，保持正常操作模式。所述控制电路进一步被配置成在可动铁芯与永磁体分离时检测由电流检测电路检测到的电流的拐点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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