[发明专利]超大功率光阻玻璃芯片刻蚀用腐蚀液及腐蚀工艺有效

专利信息
申请号: 202010196777.5 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN111363551B 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 黄小锋;屠星宇 申请(专利权)人: 常州星海电子股份有限公司
主分类号: C09K13/08 分类号: C09K13/08;C03C15/00
代理公司: 常州市华信天成专利代理事务所(普通合伙) 32294 代理人: 何学成
地址: 213022 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于玻璃芯片刻蚀技术领域,具体涉及超大功率光阻玻璃芯片刻蚀用腐蚀液及腐蚀工艺,腐蚀液包括粗腐蚀液和精腐蚀液,所述粗腐蚀液由下述体积百分比的组分制成:30—50份38%~42%的氢氟酸,30—40份65%~70%的硝酸,5—10份99.9%的冰乙酸,5—15份96%~98%的硫酸,1—5份的饱和氟盐溶液;所述精腐蚀液由下述体积百分比的组分制成:25—30份38%~42%的氢氟酸,25—30份65%~70%的硝酸,30—40份99.9%的冰乙酸,10—15份96%~98%的硫酸;其中粗腐蚀液中腐蚀温度为10—30℃;精腐蚀液中的腐蚀温度为‑10℃—‑4℃。该腐蚀液包括粗腐蚀液和精腐蚀液,通过不同腐蚀速率的腐蚀液相配合,开沟速率快,开沟深度误差小,提高芯片质量。
搜索关键词: 超大 功率 玻璃 芯片 刻蚀 腐蚀 工艺
【主权项】:
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