[发明专利]超大功率光阻玻璃芯片刻蚀用腐蚀液及腐蚀工艺有效
申请号: | 202010196777.5 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111363551B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 黄小锋;屠星宇 | 申请(专利权)人: | 常州星海电子股份有限公司 |
主分类号: | C09K13/08 | 分类号: | C09K13/08;C03C15/00 |
代理公司: | 常州市华信天成专利代理事务所(普通合伙) 32294 | 代理人: | 何学成 |
地址: | 213022 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于玻璃芯片刻蚀技术领域,具体涉及超大功率光阻玻璃芯片刻蚀用腐蚀液及腐蚀工艺,腐蚀液包括粗腐蚀液和精腐蚀液,所述粗腐蚀液由下述体积百分比的组分制成:30—50份38%~42%的氢氟酸,30—40份65%~70%的硝酸,5—10份99.9%的冰乙酸,5—15份96%~98%的硫酸,1—5份的饱和氟盐溶液;所述精腐蚀液由下述体积百分比的组分制成:25—30份38%~42%的氢氟酸,25—30份65%~70%的硝酸,30—40份99.9%的冰乙酸,10—15份96%~98%的硫酸;其中粗腐蚀液中腐蚀温度为10—30℃;精腐蚀液中的腐蚀温度为‑10℃—‑4℃。该腐蚀液包括粗腐蚀液和精腐蚀液,通过不同腐蚀速率的腐蚀液相配合,开沟速率快,开沟深度误差小,提高芯片质量。 | ||
搜索关键词: | 超大 功率 玻璃 芯片 刻蚀 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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