[发明专利]二维材料为间隔层的磁子磁电阻器件及包括其的电子设备在审
| 申请号： | 202010196853.2 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113497181A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 韩秀峰;邢耀文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及磁子磁电阻(Magnonic Magneto‑Resistance,MMR)器件及包括其的电子设备。根据一实施例，一种磁子磁电阻器件其核心结构可包括：第一铁磁性绝缘层(Ferro‑magnetic Insulator,FMI |
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| 搜索关键词： | 二维 材料 间隔 磁电 器件 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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