[发明专利]工艺腔室内晶圆状态的检测方法及装置有效
| 申请号： | 202010196899.4 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111403318B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 褚瑞 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种工艺腔室内晶圆状态的检测方法及装置，该工艺腔室内晶圆状态的检测方法，获取工艺腔室内预设检测区的图像，其中，预设检测区至少包括工艺腔室内晶圆槽的边缘和晶圆槽内晶圆承载面的局部；将图像与预置的基准图像进行对比，确定晶圆槽内晶圆的状态，其中，基准图像包括第一基准图像和第二基准图像，第一基准图像为无晶圆时预设检测区的图像，第二基准图像为所述预设检测区内晶圆偏移量最大时所述预设检测区的只包含晶圆的图像，状态包括未偏移状态和偏移状态。应用该方法，能够实现对复杂腔室环境下的晶圆状态的检测，及时有效地检测出晶圆状态，以便能够及时反馈检测结果。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 室内 状态 检测 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
