[发明专利]一种基于页模式操作的存储器快速访问方法有效
| 申请号： | 202010197761.6 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111427805B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李威;刘未;杜涛 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F12/0882 | 分类号： | G06F12/0882;G06F12/1009 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于页模式操作的存储器快速访问方法，本发明属于半导体集成电路设计和制造技术领域。该发明在传统的存储器读写电路的基础上增加内部寄存器组、地址比较与运算模块、页流水与位宽配置控制器等模块，通过对寄存器组访问的切换来实现数据在页模式流水操作下的读写访问，节约了存储器页模式读写操作的跨页访问时间，提高了存储器的访问速度，并且在页模式流水操作的基础上，通过引入可配置手段实现数据位宽的可配置，即在实现存储器访问速度提高的同时，还实现了存储器具备多种访问数据速率的可配置，且在多字节数据位宽访问时的数据速率比单字节访问时线性倍增，提升了存储器的性能和通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 模式 操作 存储器 快速 访问 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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