[发明专利]一种亚微米结构光栅的制备方法在审
| 申请号： | 202010197831.8 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111308597A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李攀;夏金松;卢宏;李宇航;曾成;徐巍;桑池斌;李志雯 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种亚微米结构光栅的制备方法，属于半导体学中的微观结构技术领域，具体包括：在硅片上旋涂电子束抗蚀剂后进行电子束曝光，获取电子束抗蚀剂层；以电子束抗蚀剂层作掩膜进行干法刻蚀制备纳米压印模板；将纳米压印模板上的亚微米结构转移至热固化透明软膜上；并在制备光栅的衬底上旋涂紫外固化压印胶；通过纳米压印方法将热固化透明软膜上的亚微米结构转移至紫外固化压印胶上；利用干法刻蚀方法，将紫外固化压印胶上的亚微米图形转移至制备光栅的衬底上。本发明通过电子束曝光、干法刻蚀制备的纳米压印模板图形精度高，表面光滑。通过软膜转印、纳米压印、干法刻蚀制备的亚微米结构光栅均匀性好、成品率高、尺寸精确、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 结构 光栅 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010197831.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于振动的电力变压器绕组变形故障诊断新方法
- 下一篇：一种移动终端漂浮机
