[发明专利]三维存储器的制备方法及三维存储器

摘要

本发明提供一种三维存储器的制备方法及三维存储器，该方法包括：在牺牲层上方形成堆栈结构；形成贯穿堆栈结构并陷入半导体基底层的沟道孔；在沟道孔中形成沟道结构；形成贯穿堆栈结构并延伸至牺牲层的工艺孔；去除牺牲层和部分沟道结构，以在半导体基底层和堆栈结构的最底层之间形成间隙，且使部分半导体沟道层暴露在间隙中；在工艺孔以及间隙中沉积半导体材料，以形成半导体材料层，其中，半导体材料层限定出中部缝隙，从而使得沉积形成的半导体材料层具有良好的均匀性，提高了半导体材料层的结构稳定性，为后续工艺制程的稳定性提供了保障。