[发明专利]混合栅p-GaN增强型氮化镓基晶体管结构及制作方法在审
| 申请号： | 202010198618.9 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111370472A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;李巍;牛迪;王权;肖红领;姜丽娟;冯春;王茜;刘宏新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种混合栅p‑GaN增强型氮化镓基晶体管结构及制作方法，其混合栅p‑GaN增强型氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括：衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层；还包括：p型GaN帽层、源极和漏极，分别制作在所述势垒层上面；栅绝缘介质层，制作在所述p型GaN帽层上面；栅极，制作在所述栅绝缘介质层和所述p型GaN帽层上面。本公开能够减小器件栅极漏电，改善器件栅极击穿特性，增加器件栅压摆幅，提高器件的阈值电压，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 gan 增强 氮化 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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