[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：衬底，衬底包括第一区域，第一区域沿纵向包括相邻接第一纵区和第二纵区；沟道体，位于衬底上，沟道体沿纵向延伸，且沟道体沿纵向包括第一沟道部件和第二沟道部件，第一沟道部件的横向宽度大于第二沟道部件的横向宽度，横向与纵向垂直，在第一区域中，第一沟道部件位于第一纵区，第二沟道部件位于第二纵区；第一栅极结构，横跨第一沟道部件；第二栅极结构，横跨第二沟道部件。本发明实施例通过增大第一沟道部件的横向宽度的方式，使得下拉晶体管中载流子迁移率得到提高的同时，有利于提高半导体结构的表面利用率，相应提高半导体结构的集成度。