[发明专利]具有抗晕结构的像元倍增内线帧转移CCD有效
| 申请号： | 202010199267.3 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111372017B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王小东;汪朝敏;钟四成;熊平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H04N5/372 | 分类号： | H04N5/372;H04N5/378 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有抗晕结构的像元倍增内线帧转移CCD，包括像元阵列、垂直转移栅、水平CCD结构和读出放大器，在所述像元阵列和垂直转移栅之间还设有存储单元阵列，所述像元阵列中设有像元转移栅、像元转移栅下势垒、像元倍增结构和像元抗晕结构。本发明提出了一种新的CCD结构，通过将像元光敏区中的光积分过程和光电荷转移过程隔离，以及将光电荷转移过程和信号读出过程的隔离，并设置像元倍增结构和倍增移位寄存器实现了前级像元倍增和后级寄存器倍增的双倍增功能，能够对微光甚至单光子进行探测；通过抗晕结构泄放像元倍增后溢出的光电荷，能够在对比度较大的环境或探测光信号较强的目标物体时，显著提高CCD的探测成像性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 倍增 内线 转移 ccd | ||
【主权项】：
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