[发明专利]制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 202010199362.3 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111384666B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王璐;王珈 | 申请（专利权）人： | 北京嘉圣光通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/187 | 分类号： | H01S5/187;H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘亚飞 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制作VCSEL的方法及VCSEL，方法包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、电极下接触层、镓砷层、光限制层以及电光限制层；对电光限制层和光限制层进行光刻以形成通光圆孔；在电光限制层表面，依次外延生长空穴载流子势垒区、量子阱有源区、电子载流子限制区、反射镜层以及电极上接触层；在电极上接触层上制作n型电极层，将电极上接触层的外延面烧结在金属化的热沉上；去除衬底直至暴露电极下接触层；腐蚀电极下接触层、镓砷层直至露出空穴载流子势垒区，得到出光孔，在出光孔内淀积介质膜DBR；在电极下接触层上刻蚀并淀积介质隔离层；在电极下接触层外延表面，套刻制作不经过介质膜DBR的P型电极环。可以提高VCSEL的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 垂直 发射 激光器 方法 | ||
【主权项】：
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