[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法在审
申请号: | 202010199484.2 | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN111725261A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 李世镐 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 史迎雪;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括:基板;彼此面对的像素电极和对电极;电连接到像素电极的薄膜晶体管;电连接到对电极并且与像素电极间隔开的接触电极;电连接到接触电极并且与薄膜晶体管间隔开的辅助电极;利用其发射光的中间层,中间层包括:发射层,以及与像素电极和接触电极对应的第一功能层,第一功能层限定在其处暴露接触电极的开口部分;以及在薄膜晶体管与像素电极之间、在辅助电极与接触电极之间并且限定在其处辅助电极电连接到接触电极的接触开口的多绝缘层,接触开口与中间层的开口部分对应。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的