[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法在审
| 申请号： | 202010199549.3 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111724985A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 国吉太 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;狄茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种抑制Dy含量且具有高B |
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| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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