[发明专利]半导体装置的制造方法以及固体拍摄装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010200588.0 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111755380A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 三浦规之 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王海奇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供即使使用具备FZ晶片作为支承基板的SOI晶片，也能够抑制滑移的产生来制造半导体装置的半导体装置的制造方法以及固体拍摄装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：准备在FZ晶片(14)上隔着绝缘层(20)配置有硅层(21)的SOI晶片(15)的工序，该FZ晶片是利用FZ法制造出的硅晶片，去除上述硅层的一部分来形成分离上述硅层的槽(13)作为元件分离区域B的工序；以及形成包括上述元件分离区域以外的上述硅层的至少一部分且被上述元件分离区域相互分离的多个电路元件(52、54)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 固体 拍摄 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
