[发明专利]一种磁偏置弱光触发大功率光导开关有效

专利信息
申请号: 202010200729.9 申请日: 2020-03-20
公开(公告)号: CN111510124B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 付佳斌;谢卫平;何泱;栾崇彪;刘宏伟;袁建强 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
主分类号: H03K17/78 分类号: H03K17/78
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 管高峰
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及脉冲功率技术领域,本发明公开了一种磁偏置弱光触发大功率光导开关,包括光导开关、绝缘介质、绝缘容器、磁场产生元件和触发激光,光导开关浸没于绝缘介质中,绝缘介质用于增加光导开关的沿面耐压强度,光导开关和绝缘介质均置于绝缘容器中,磁场产生元件置于绝缘容器外侧,且磁场产生元件所产生的磁场垂直于光导开关的内部电场,触发激光用于控制光导开关的导通。本发明采用激光触发,触发控制与高电压实现光电隔离,本发明还采用磁场偏置使得光导开关内部电子倍增方向发生偏转,从而增加载流子雪崩的横向截面积,并使得电流丝发生横向移动,降低导通过程电流丝电流密度,以达到提高弱光触发大功率光导开关工作寿命的目的。
搜索关键词: 一种 偏置 弱光 触发 大功率 开关
【主权项】:
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