[发明专利]N型太阳能电池的后处理方法有效
| 申请号： | 202010200810.7 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN112086541B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 杨黎飞;张闻斌;李杏兵;王佳军;杨青松 | 申请（专利权）人： | 苏州光汇新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L21/26;H01L21/324 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发;王锋 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型太阳能电池的后处理方法，该后处理方法包括：对N型太阳能电池施加光辐照，同时对所述N型太阳能电池施加正向偏压。本发明实施例提供的一种N型太阳能电池的后处理方法的原位退火处理时间的大幅缩短，使该方法适用于实际连续化生产，在光辐照的同时，对电池施加正向偏压(Vbis)，可以提高i‑a‑Si:H/c‑Si或SiOx/c‑Si界面处的复合速率，进一步提升原位退火的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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