[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供具备非易失性存储器的半导体装置以及其制造方法，该非易失性存储器具备数据写入用的场效应晶体管和数据读出用场效应晶体管，并能够发挥适合各场效应晶体管的特性。非易失性存储单元所包括的数据写入用场效应晶体管(100)以及数据读出用场效应晶体管(200)分别具有形成在半导体基板上的栅极绝缘膜(102、104、204)、形成在栅极绝缘膜上的浮栅(106、206)、以及在从半导体基板的厚度方向观察时中间夹着浮栅的位置处构成源极区域以及漏极区域的扩散层(310A、310B、310C)，数据读出用场效应晶体管的栅极绝缘膜的厚度与数据写入用场效应晶体管的栅极绝缘膜的厚度不同。