[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 202010201154.2 | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN111755041A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 稻田俊夫;松井克晃 | 申请(专利权)人: | 拉碧斯半导体株式会社 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C11/4093;G11C11/4096 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘书航;闫小龙 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种半导体存储装置。在具有能够同时访问的写入数据输入端子和读出数据输出端子的半导体存储装置中,抑制电路规模的增大。包括:存储器阵列(11),其进行多个数据的写入、读出;一对写入寄存器(WR(0)、WR(1)),其暂时保存向存储器阵列(11)写入的写入数据;以及一对读出寄存器(RR(0)、RR(1)),其暂时保存从存储器阵列(1)读出的读出数据。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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