[发明专利]一种特定非晶态结构钛酸钡薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010201547.3 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111321383B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杜丕一;顾健;王宗荣;马宁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/50;C23C14/58;H01L29/51 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种特定非晶态结构钛酸钡(BTO)薄膜材料及制备方法。该薄膜沉积在p型Si基板上，薄膜具有较完整的Ba‑Ti‑O网络结构但失去BaTiO3晶相的平移对称性，厚度为40nm以下，是一种优异的高介栅绝缘层薄膜材料。该薄膜通过射频磁控溅射法在自然温度下进行去反溅射沉积。首先获得沉积态非晶薄膜，后经过在空气或氮气中较低温度下二步热处理的方法制得。这种特定非晶态结构BTO/p‑Si单元可有效形成异质结，其结中的内建电场可通过栅绝缘层(BTO)网络结构中的氧空位浓度调控而调制。基于形成这种高效可调的内建电场，这种方法制备的特定非晶态结构钛酸钡薄膜材料在MOS晶体管等领域将有巨大的应用价值，且本发明的薄膜制备工艺较为简单，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 特定 晶态 结构 钛酸钡 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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