[发明专利]一种具有电流阻挡层的氮化镓基垂直结构发光二极管及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202010201845.2 申请日: 2020-03-20
公开(公告)号: CN111261762A 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 龚平;吴旗召 申请(专利权)人: 西安唐晶量子科技有限公司
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710119 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种具有电流阻挡层的氮化镓基垂直结构发光二极管,包括:位于底层的导电衬底;位于导电衬底表面第二焊接层;位于第二焊接层表面的第一焊接层;位于第一焊接层表面的扩散阻挡层;位于扩散阻挡层表面的镍银反射层;位于扩散阻挡层表面的Al层;位于镍银反射层和Al层表面的氮化镓基发光外延层;位于发光外延层表面的n电极,Al金属层位于n电极下方的投影区,Al金属层作为电流阻挡层改变电流注入,提高发光效率。
搜索关键词: 一种 具有 电流 阻挡 氮化 垂直 结构 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
暂无信息
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