[发明专利]一种硅片及其表面倒金字塔结构制备方法在审
| 申请号： | 202010201988.3 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111341884A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王东;金井升;熊诗龙;赵迎财 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 田媛媛 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种硅片表面倒金字塔结构制备方法，包括：获取去除损伤层及表面杂质的预处理硅片；利用预制溶液处理所述预处理硅片的表面，在所述表面形成倒金字塔结构，其中，所述预制溶液为硝酸铜、氢氟酸、双氧水的混合溶液。可见，本申请中在得到预处理硅片后，只需要用预制溶液处理预处理硅片的表面这一步即可在处理预处理硅片表面形成倒金字塔结构，工艺简单，适合进行量产，同时，预制溶液为硝酸铜、氢氟酸、双氧水的混合溶液，成分简单，无需使用任何有机物、添加剂等，可以有效降低成本，并且不会给后续清洗以及废液处理增加压力。此外，本申请还提供一种具有上述倒金字塔结构的硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 及其 表面 金字塔结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司，未经浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010201988.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂离子电池复合正极的制备方法
- 下一篇：多频超宽带振子及天线
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
