[发明专利]用于形成三维存储器件的方法有效
| 申请号： | 202010202904.8 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111244106B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张坤;刘藩东;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了用于形成三维(3D)存储器件的方法。方法可以包括形成器件晶圆，其包括：形成贯穿器件晶圆的第一交替堆叠层的第一沟道孔(140)、于第一沟道孔(140)的底部上形成外延层(160)、以及于第一沟道孔(140)的侧壁上形成第一沟道层(180)。方法还可以包括：形成至少一个连接晶圆，每个连接晶圆包括贯穿第二交替堆叠层的第二沟道孔(340)，所述连接晶圆在第二沟道孔(340)的底部上不具有外延层(160)；以及将至少一个连接晶圆与器件晶圆键合，使得在每个连接晶圆中的第二沟道孔(340)的侧壁上的第二沟道层(380)与器件晶圆中的第一沟道层(180)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 三维 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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