[发明专利]一种SGT-MOSFET半导体器件有效
| 申请号： | 202010203302.4 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111211174B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张帅;黄昕;张攀 | 申请（专利权）人： | 济南安海半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人： | 刘凯 |
| 地址： | 250014 山东省济南市经*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SGT‑MOSFET半导体器件，属于半导体技术领域，其结构包括N型重掺杂半导体衬底和位于N型重掺杂半导体衬底上表面的N型半导体漂移区；N型半导体漂移区的上表面设有P型区，P型区上表面设有N型重掺杂半导体源区，N型重掺杂半导体源区设有贯穿P型区并延伸至N型半导体漂移区中的控制栅；N型重掺杂半导体源区设有贯穿P型区并延伸至N型半导体漂移区中的屏蔽栅；控制栅设置有至少一个，屏蔽栅设置有至少两个，控制栅设置在相临的两个屏蔽栅之间。本发明利用分裂栅和浮置P阱技术极大改善了沟槽栅器件性能。本发明的浮置P阱配置、以及N‑漂移区的配置具有优化的电场分布结构，提高器件耐压，降低导通电阻，从而降低驱动损耗和开关损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sgt mosfet 半导体器件 | ||
【主权项】：
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