[发明专利]一种基于晶面控制抑制量子点表面缺陷态的方法在审
| 申请号： | 202010203444.0 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111423869A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 张建兵;王康;夏勇;连霖源;张道礼;唐江 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/66;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于晶面控制抑制量子点表面缺陷态的方法，属于化合物半导体纳米材料制备技术领域。将铅前驱物溶液加热至40℃～70℃，然后快速注入浓度为0.6mol/L～0.8mol/L的硫源或硒源溶液；再缓慢滴加浓度为0.1mol/L～0.2mol/L的硫源或硒源溶液，再加入配体，随后加入反溶剂至溶液变浑浊后离心，沉淀即为有配体包裹的体心四方晶格结构的硫化铅量子点、硒化铅量子点、硫化铅/硒化铅核壳量子点或硒化铅/硫化铅核壳量子点；铅前驱物的物质的量大于加入的硫源或硒源的物质的量之和；整个反应均在保护性气体下进行。本发明最终产物能够有效缓解{100}晶面的暴露情况，避免氧气及水分的入侵，表面缺陷态少，在空气中稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 控制 抑制 量子 表面 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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