[发明专利]一种离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法有效
| 申请号： | 202010203692.5 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111403596B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 罗文博;方远苹;帅垚;吴传贵;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L41/253 | 分类号： | H01L41/253;H01L41/332;H01L21/02;H01L21/66;H01L21/67;B08B7/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于单晶薄膜的工艺领域，具体涉及一种离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法。本发明的离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法，针对离子注入剥离技术制备的单晶薄膜，选择氩离子刻蚀精准去除表面的损伤层；此外，针对去除损伤层后薄膜的氧空位缺陷及表面改性的问题，通过分别控制氧等离子清洗过程中的氧气通量、工作功率以及清洗时间的工作参数，通过接触角测试对清洗效果进行验证，最终使得单晶薄膜达到完全浸润，便于后续制备图形化的器件结构。本发明使单晶薄膜的单晶质量大幅度提高，引入的二次损伤最小，简化了工艺的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 剥离 薄膜 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
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