[发明专利]一种多芯片并联的功率模块的封装结构及封装方法有效
| 申请号： | 202010204449.5 | 申请日： | 2020-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN113497014B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 吕坚玮;陈材;黄志召;张弛;刘新民;康勇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L21/98;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 廖盈春;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多芯片并联的功率模块的封装结构及封装方法，可以应用在硅功率模块以及碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体功率模块中；封装结构包括：散热基板，绝缘基板，附着于绝缘基板上的功率芯片、驱动电阻、热敏电阻，叠层绝缘块和解耦电容，键合线，灌封胶，外壳及端子；该结构通过解耦电容，为各并联的功率芯片提供了相同长度的动态换流回路，且将端子电感动态解耦，从而降低了并联的功率芯片在开关过程中的动态电流差异和关断过程中的电压尖峰；功率开关管芯片的驱动信号线采用Kelvin连接方式，增强了驱动的稳定性。本发明提供的封装方法可以为上述封装结构提供可靠的加工方法，使得该封装结构得以实现，且成本低、加工质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 并联 功率 模块 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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