[发明专利]一种高压AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010204550.0 | 申请日： | 2020-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN111403480A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王洪;高升;廖碧艳;李先辉 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法。所述器件包括AlGaN/GaN外延，AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极，所述源漏电极靠近源极侧设置p‑GaN层，在所述p‑GaN层由中心向两侧进行开槽，并在开槽处设置栅电极，形成T型栅。由于栅极两侧的p‑GaN层可以拉伸下方的AlGaN势垒层的能带，从而影响栅极边缘的电场分布，结合T型栅场板的作用，降低了靠近漏极侧栅极边缘的电场峰值，提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 algan gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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