[发明专利]光电突触晶体管及其制作方法、神经处理系统

摘要

本发明公开了一种光电突触晶体管，包括：基底；栅极，设置于基底之上；栅介质层，设置于栅极之上；源电极、漏电极分别设置于栅极的两侧，且源电极、漏电极分别在栅极的一侧上沿着栅极的侧壁延伸至基底之上；沟道层，设置于栅介质层之上，且沟道层设置于源电极和漏电极之间；栅介质层设置于源电极和漏电极之间，其中，光电突触晶体管的最大刺激波长大于600nm。本发明也公开了一种光电突触晶体管的制作方法。本发明还公开了一种包括上述光电突触晶体管或采用上述制作方法制得的光电突触晶体管的神经处理系统。本发明的光电突触晶体管相对于现有技术，最大刺激波长可大于600nm以上，适用的光探测范围较宽，且能耗低，有利于光电突触晶体管的推广和发展。