[发明专利]一种半导体结构及其制作方法和集成电路在审
| 申请号： | 202010205548.5 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN111446285A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 樊永辉;曾学忠;樊晓兵;许明伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇芯通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市博衍知识产权代理有限公司 44415 | 代理人： | 曾新浩 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市华富街道莲花一*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构及其制作方法和集成电路。半导体结构包括衬底、过渡层和外延层，所述过渡层由氮铝化合物构成，设置在所述衬底的上方，包括至少两种组分不同的子过渡层的过渡层，所述子过渡层之间堆叠设置；所述外延层设置在所述过渡层的上方，由掺杂的氮化铝材料构成；所述过渡层的平均晶格常数在所述衬底材料的晶格常数和外延层材料的晶格常数之间。本申请采用由氮化铝类型的宽禁带半导体，且过渡层采用超晶格结构，使得衬底和外延层达到晶格适配，减少由晶格失配和应力引起的位错、翘曲和龟裂，改善半导体结构的性能、产品良率及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制作方法 集成电路 | ||
【主权项】：
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