[发明专利]具有3D NAND的矢量矩阵乘法在审
| 申请号： | 202010205634.6 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN112133351A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | F·纳迪;G·J·海明克;W·H·崔 | 申请（专利权）人： | 闪迪技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/24;G11C16/30;G06F17/16;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种针对模拟神经网络(ANN)执行矢量矩阵乘法(VMM)的装置。该装置包括串联的NAND闪存单元列，其中每个NAND闪存单元包括控制栅极；位线，该位线连接到NAND闪存单元列，其中从NAND闪存单元汲取的电流流向位线；积分器，该积分器连接到位线；以及控制器，控制器具有编程指令以通过设置每个NAND闪存单元的控制栅极的电压来控制NAND闪存单元列。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 nand 矢量 矩阵 乘法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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