[发明专利]半导体刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010206328.4 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113436972B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 杨蕾 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 潘朱慧 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体刻蚀方法，其包括：提供待刻蚀材料层；于所述待刻蚀材料层上依次形成第一掩膜层及覆盖所述第一掩膜层的第二掩膜层；图形化所述第二掩膜层，以形成不同尺寸的开口图形，所述开口图形使得所述第一掩膜层暴露出具有不同尺寸的区域；基于所述开口图形对被暴露出的所述区域进行离子注入，各所述区域内的离子注入浓度与所述区域的宽度成正比，且离子注入后的所述区域的材料刻蚀去除速率与所述区域内的离子注入浓度成反比；基于所述开口图形刻蚀经离子注入后的所述区域至所述待刻蚀材料层内形成与所述开口图形尺寸一致的沟槽，各所述沟槽的深度近似或相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
