[发明专利]用于减轻存储器单元错误形状的技术在审
申请号: | 202010206335.4 | 申请日: | 2020-03-23 |
公开(公告)号: | CN111952316A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | X·杨 | 申请(专利权)人: | 闪迪技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582;G11C16/08;G11C16/24 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵志刚 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了用于减轻存储器孔错误形状的问题的技术。在一个方面,一个或多个控制电路被配置为使用第一编程参数将一组非易失性存储器单元从擦除状态编程到多个编程状态。所述一个或多个控制电路测量所述组的阈值电压以确定所述组中的存储器孔错误形状的严重性。所述一个或多个控制电路使用基于所述组中的所述存储器孔错误形状的所述严重性而选择的第二编程参数,将所述组从所述擦除状态编程到所述多个编程状态。 | ||
搜索关键词: | 用于 减轻 存储器 单元 错误 形状 技术 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的