[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置在审
| 申请号： | 202010207802.5 | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN111987168A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 大田裕之 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/34;H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 王娟 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置，其中，薄膜晶体管包括：具有第一区域、第二区域和沟道区域的氧化物半导体层；以及栅极电极，该栅极电极隔着栅极绝缘层而重叠地设置在沟道区域上，并且，栅极电极不与第一和第二区域重叠；电连接到第一区域的源极电极；以及电连接到第二区域的漏极电极。氧化物半导体层中的沟道区域比第一区域和第二区域厚，氧化物半导体层包含下层和配置于下层的一部分上的上层。沟道区域包含上层和下层，第一区域和第二区域均包含下层且不包含上层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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