[发明专利]存储器及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202010209621.6 申请日: 2020-03-23
公开(公告)号: CN111640757A 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 童宇诚;张钦福 申请(专利权)人: 福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108
代理公司: 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 代理人: 王宏婧
地址: 362200 福建省泉州*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供了一种存储器及其形成方法。将字线的端部延伸至周边区中,并将接触插塞形成在周边区中以和字线的端部电性连接,从而可以充分利用周边区的空间以在周边区中制备接触插塞,有利于增大各个接触插塞的尺寸,此时还有利于进一步实现接触插塞不仅能够与字线的顶表面连接,还可以与字线的侧壁连接,大大增加接触插塞和字线之间的接触面积。即,本发明提供的存储器,不仅有利于降低接触插塞的制备难度,还可以提高接触插塞和字线之间的连接性能。
搜索关键词: 存储器 及其 形成 方法
【主权项】:
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