[发明专利]具有扩展电介质层的沟槽电容器在审
| 申请号： | 202010209913.X | 申请日： | 2020-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN112086430A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | N·哈拉蒂普;C-C·林;S-C·常;I·A·扬;U·E·阿维奇;J·T·卡瓦列罗斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种改进的沟槽电容器结构，其允许形成较窄的电容器。示例性电容器结构包括在穿过电介质层的厚度的开口的侧壁上的第一导电层、在第一导电层上的电容器电介质层、在电容器电介质层上的第二导电层、以及在第二导电层上的导电填充材料。电容器电介质层在开口上方并沿着电介质层的顶表面横向延伸，并且导电填充材料填充开口的剩余部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩展 电介质 沟槽 电容器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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