[发明专利]一种侧激发Kretschmann型波导SPR传感器的制备方法在审
| 申请号： | 202010211710.4 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111272713A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 姚一村;陈南光;田振;张丽强;纪红柱;王宗良;任世杰 | 申请（专利权）人： | 聊城大学 |
| 主分类号： | G01N21/552 | 分类号： | G01N21/552;C30B31/22 |
| 代理公司： | 青岛致嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 37236 | 代理人： | 高维波 |
| 地址： | 252059 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型侧激发波导SPR传感器的制备方法，包括如下步骤：步骤A，在晶体片的上表面制备两条相互交叉的波导，分别作为入射、出射波导；步骤B，用精密金刚石刀切割的方法，在两波导交叉处位置切割形成一凹槽，所述凹槽的走向要求为两波导与凹槽内侧壁形成的夹角相等，且两波导位于凹槽同侧；步骤C，在凹槽中靠近波导一侧的侧壁上，沉积一层约几十纳米厚度的金属薄层。该方案可以实现各类晶体波导的表面等离子体共振的相位匹配，从而实现基于不同种类晶体材料的波导SPR传感功能。另外，通过结构参数的调节，可以对共振波长及灵敏度实现较大范围的自由调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激发 kretschmann 波导 spr 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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