[发明专利]SiC MOSFET短路仿真模型的建立方法有效
| 申请号： | 202010212540.1 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111460748B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李虹;王玉婷;蒋艳锋;曾洋斌 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | G06F30/33 | 分类号： | G06F30/33 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 王艳斌 |
| 地址： | 100044*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOSFET短路仿真模型的建立方法，其中，方法包括：获取SiC MOSFET的静态特性、瞬态热阻抗和短路波形；根据瞬态热阻抗建立热模型，并且由热模型和短路波形得到SiC MOSFET短路时的结温特性；根据短路持续时间逐渐增加时的漏源电流波形得到泄漏电流波形和沟道电流波形；根据SiC MOSFET的静态特性和结温特性建立沟道电流模型；根据SiC MOSFET的结温特性建立漏源极泄漏电流模型；根据沟道电流模型和泄漏电流模型得到SiC MOSFET短路仿真模型。本发明实施例可以得到可适用于正常工况和短路情况下的SiC MOSFET仿真模型，进而更好地应用于电力电子电路仿真，为驱动电路的短路保护电路设计提供了指导，降低电路设计成本。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 短路 仿真 模型 建立 方法 | ||
【主权项】：
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