[发明专利]包括掩埋式光波导和输出耦合器的光学器件在审
申请号: | 202010214674.7 | 申请日: | 2020-03-24 |
公开(公告)号: | CN112331726A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | J·赫克;H·弗里希;R·德弗里斯;G·A·吉乌尔卡恩;H·马哈林加姆;P·西迪吉安 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01S5/026;G02B6/42 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 邬少俊 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开的实施例针对用于光耦合器的技术和构造,该光耦合器包括用于将光导引至光纤的光波导。在实施例中,光波导包括锥形段,以将所接收的光传播到光纤。在实施例中,锥形段被掩埋在半导体衬底的表面下方,以将半导体衬底内的所接收的光从第一光模式转变为第二光模式,以减少在所接收的光从光波导到光纤的传播期间的光损失。在实施例中,半导体衬底的表面包括硅光子芯片的底部平面表面,其包括无源或有源光子部件中的至少一个或多个。可以描述和/或要求保护其他实施例。 | ||
搜索关键词: | 包括 掩埋 波导 输出 耦合器 光学 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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