[发明专利]一种双层光子晶体结构的倒装深紫外LED及其制备方法有效
| 申请号： | 202010216331.4 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111312877B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈谦;王昊;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 苏州紫灿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00;H01L33/48;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 赵泽夏 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双层光子晶体结构的倒装深紫外LED及其制备方法，该双层光子晶体结构的倒装深紫外LED包括支架、深紫外LED芯片和透镜，其中：所述透镜设置于所述支架顶部，且所述深紫外LED芯片位于所述支架与透镜所围成的封闭空间中；所述深紫外LED芯片设置于所述支架底部，所述深紫外LED芯片靠近所述支架底部的一侧表面设置有第一纳米阵列结构，所述深紫外LED芯片远离所述支架底部的一侧表面设置有第二纳米阵列结构。本发明通过在深紫外LED的P型GaN接触层上设置第一纳米阵列结构，同时在蓝宝石衬底上设置第二纳米阵列结构，打破了现有的光提取效率上限，使深紫外LED的出光功率提升了一倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 光子 晶体结构 倒装 深紫 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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