[发明专利]一种PVT法生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构在审
| 申请号： | 202010216513.1 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111394787A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 左洪波;杨鑫宏;李铁;阎哲华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PVT法生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构。它包括中频加热线圈、石墨毡保温层、内坩埚、籽晶托、外坩埚、气体冷却装置和外坩埚盖，中频加热线圈设置在石墨毡保温层外圈，石墨毡保温层设置在外坩埚外圈，内坩埚与外坩埚构成可分离式嵌套结构的坩埚，内坩埚内装填碳化硅原料，籽晶托为内坩埚盖设置在内坩埚上方，外坩埚的坩埚壁呈梯度分布，由下至上直径逐渐变小，外坩埚盖上部设有均匀的气体冷却装置。本发明能够提高热场稳定性，使得工艺重现性大幅提高，从而提高大尺寸碳化硅晶体的质量，解决现有技术中的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 尺寸 碳化硅 结构 | ||
【主权项】：
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