[发明专利]一种增强体二极管的碳化硅功率MOSFET器件在审
| 申请号： | 202010217839.6 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111446293A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 盛况;任娜;郭清;朱郑允 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 310000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种增强体二极管的碳化硅功率MOSFET器件，元胞在第一表面为多边形或圆形布局设计，结构包含衬底、源极和漏极，还包括第一N型碳化硅区域，位于衬底上方；与所述第一N型碳化硅区域相邻的JFET区域；第一P型碳化硅区域，位于所述第一N型碳化硅区域上方、JFET区域的一侧；第一源极区域，位于所述第一N型碳化硅区域上方、JFET区域的另一侧；第一隔离栅极区域，位于第一P型碳化硅区域、JFET区域和第一源极区域上方。这种结构能实现在不牺牲MOSFET的工作性能的同时，增强体二极管的导通性能和抗浪涌电流能力，获得器件性能与可靠性之间的优化与平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 二极管 碳化硅 功率 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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