[发明专利]一种基于氮化镓异质结外延的长关型HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010218097.9 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111463273A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 关赫;沈桂宇 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/66;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安利泽明知识产权代理有限公司 61222 | 代理人： | 林兵 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，具体提供了一种基于氮化镓异质结外延的长关型HEMT器件，包括最底层的高阻Si衬底以及依次从下到上堆叠的AlGaN\AlN缓冲层、GaN外延层、AlN插入层、AlInGaN势垒层、GaN帽层和顶层的栅电极、源漏电极，其具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、零反向恢复电荷、体积小和能耗低、抗辐射等优势。本发明还提供了一种基于氮化镓异质结外延的长关型HEMT器件的制备方法，其成本低廉，工艺简单，可进行工业化批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 镓异质结 外延 长关型 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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