[发明专利]基于氮化镓外延异质结的常开型HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010218115.3 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111463274A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 关赫;沈桂宇 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20;H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安利泽明知识产权代理有限公司 61222 | 代理人： | 林兵 |
| 地址： | 710000 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种基于氮化镓外延异质结的常开型HEMT器件及其制备方法。器件包括GaN外延、SiN钝化层、源漏电极、栅电极、第一SiO |
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| 搜索关键词： | 基于 氮化 外延 异质结 常开 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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