[发明专利]硅-玻璃用低温阳极键合工艺在审
| 申请号： | 202010218648.1 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111393041A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王云翔;冒薇;段仲伟;祝翠梅;姚园;许爱玲 | 申请（专利权）人： | 苏州美图半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C03C27/00 | 分类号： | C03C27/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 南京思拓知识产权代理事务所(普通合伙) 32288 | 代理人： | 苗建 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅‑玻璃用低温阳极键合工艺，其包括如下步骤：步骤1、对硅晶圆、玻璃衬底进行表面清洗工艺；步骤2、对玻璃衬底、硅晶圆进行氧等离子体处理；步骤3、将上述玻璃衬底与硅晶圆置于阳极键合设备中，当阳极键合设备达到所需的真空度时，对玻璃衬底与硅晶圆进行加热，在玻璃衬底与硅晶圆的加热温度达到180℃～250℃时，将玻璃衬底与硅晶圆接触，并在所需键合电压400V～500V的作用下使得玻璃衬底与硅晶圆完成所需的阳极键合。本发明与现有工艺兼容，能降低阳极键合的温度和电压，提高芯片型原子钟等产品的良率，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 低温 阳极 工艺 | ||
【主权项】：
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