[发明专利]一种高温环境下工作的碳化硅装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010218933.3 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111509032A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 李昀佶;何佳;陈彤 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/02;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林云娇 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高温环境下工作的碳化硅装置及其制造方法，方法包括：选取一SiC衬底片；采用现有技术进行正面金属淀积及退火，形成肖特基接触；背面金属淀积及退火工艺：对SiC衬底片进行金属淀积之后退火，形成第一金属层；之后在第一金属层上再进行金属淀积，之后形成第二金属层，形成欧姆接触，第二金属层不需要进行退火，减少了退火后的生成物，提高了SiC欧姆接触的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 环境 工作 碳化硅 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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