[发明专利]一种新型的超低压降肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010219339.6 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111261725A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨朔 | 申请（专利权）人： | 上海安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人： | 龙海丽 |
| 地址： | 200030 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的主要目的为提供一种新型的超低压降肖特基二极管及其制备方法，此二极管在高浓度的衬底片上表面先光刻腐蚀多条沟槽，然后外延生长低浓度层，在上表面和沟槽处形成金属势垒和正面金属电极，在背面形成背电极。如图结构：10为背面电极；20为高浓度衬底，在其上面刻蚀出多个一定深度的槽，槽可以是条形，也可以是方形或多边形等；30为外延方式生长的低浓度层，厚度和浓度根据器件所设计的电压，反向漏电流等决定；40为势垒层；50为边缘绝缘层；60为上电极金属层。多槽结构增大了势垒区的表面积，极大地增加了单位芯片的电流，在同等芯片面积情况下，正向导通电流极大地增加，同等电流下，正向压降大幅降低，达到了超低正向的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 低压 降肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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