[发明专利]具有增加的浮置栅极长度的三维闪存在审
| 申请号： | 202010219870.3 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN112086459A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | R·阿加瓦尔;S·高达;K·帕拉特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11551;H01L29/423;H05K1/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 赵腾飞 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 集成电路存储单元包括浮置栅极、控制栅极和多个多晶硅间电介质(IPD)层。IPD层包括IPD1层、IPD2层和IPD3层，其中IPD2层插入在IPD1与IPD3层之间。IPD2层(其可以是氮化物)不位于浮置栅极的侧翼。因此，浮置栅极的任何部分都不横向地位于IPD2层的两个部分之间。另外，第一存储单元的IPD2层的任何部分都不位于第一存储单元的浮置栅极与相同的存储单元串的紧邻存储单元的浮置栅极之间。在一些情况下，在浮置栅极与IPD3层之间提供IPD4层。IPD4层比IPD1‑3层相对要薄得多，并且可以如IPD3层位于浮置栅极的侧翼。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增加 栅极 长度 三维 闪存 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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