[发明专利]等间隙梯度递增同心圆式双面硅漂移探测器及其设计方法

摘要

本发明公开了一种等间隙梯度递增同心圆式双面硅漂移探测器及其设计方法，等间隙梯度递增同心圆式双面硅漂移探测器，包括硅基体，硅基体的上表面刻蚀有正面同心圆式圆形阴极环，硅基体的下表面刻蚀有反面同心圆式圆形阴极环，正面同心圆式圆形阴极环和反面同心圆式圆形阴极环均是由多个从内向外依次套设的圆形阴极环组成，两者中相邻两圆形阴极环的间隙相等，相邻两圆形阴极环之间的间距从内向外依次梯度递增，具体是以位于内部的圆形阴极环内半径的三分之二次方梯度递增；且结构和尺寸相同，正面同心圆式圆形阴极环第一环内刻蚀有正面阳极电极。解决了现有SDD单元面积小、拼接阵列难度大、成本高的问题。