[发明专利]半导体设备的反应腔室及半导体设备有效
| 申请号： | 202010220781.0 | 申请日： | 2020-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111446199B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 刘建 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/20 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体设备的反应腔室和半导体设备，该反应腔室包括腔室本体以及自上而下设置的静电卡盘、补偿电压检测装置和下电极；腔室本体具有反应腔，静电卡盘、补偿电压检测装置和下电极均设置于反应腔内，静电卡盘用于支撑晶圆；补偿电压检测装置的一端贯穿静电卡盘，且与晶圆接触且电连接，补偿电压检测装置的另一端与下电极连接，补偿电压检测装置用于测量晶圆的电压，以及根据检测到的晶圆的电压补偿静电卡盘的吸附电压。上述方案能够解决由于静电卡盘对晶圆的吸附力不均衡，而导致半导体设备的安全性和可靠性较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 反应 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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