[发明专利]一种基于桥结构的硅通孔开路故障测试结构

摘要

本发明公开了一种基于桥结构的硅通孔开路故障测试结构，包括输入端、测试端和捕获端，所述输入端包括一低通滤波器，所述测试端包括由4个电阻组成的电桥结构、一PMOS管以及一参考电容组成，所述电桥结构，桥臂中两电阻的比值相等，并在两电桥桥臂之间连接待测硅通孔，所述参考电容连接在电桥结构与输入端之间，所述PMOS管的栅极连接在电桥结构其中一电桥桥臂的两电阻之间，其源级连接在另一电桥桥臂的两电阻之间。采取本发明提出的桥结构方法，可以消除附加电阻的影响，它适合于10－6‑102w电阻的测量，相比同类的内建自测试方案，测试精度大幅提升。